60kV 광섬유

Micsig Technology는 최대 1GHz의 대역폭과 최저 350ps 이하의 상승 시간을 갖춘 일련의 광섬유 절연 오실로스코프 프로브를 사용하여 주 전원 및 고전압 GaN 전원 공급 장치 개발을 목표로 하고 있습니다.

Micsig Technology는 최대 1GHz의 대역폭과 최저 350ps 이하의 상승 시간을 갖춘 일련의 광섬유 절연 오실로스코프 프로브를 사용하여 주 전원 및 고전압 GaN 전원 공급 장치 개발을 목표로 하고 있습니다.

이러한 종류의 프로브에는 프로브 팁과 스코프 사이에 전기 전도성 경로가 없습니다.

대신, 프로브의 스코프 끝과 프로브 헤드는 광섬유로 연결되어 신호의 아날로그 광학 표현이 스코프 끝으로 전달되고, 전력은 레이저에 의해 헤드까지 전달됩니다. 사례.

프로브와 함께 제공되는 양각대는 접지에 대한 헤드 정전용량을 줄입니다.

전기적으로 절연된 신호 및 전력 전송의 결과로 최대 공통 모드 내성은 60kV입니다.

헤드의 증폭기는 SMA 커넥터를 통해 프로브 팁에 10pF와 병렬로 1MΩ을 제공하며 10x~2,000x 사이의 프로브 팁을 사용하여 관심 있는 신호에 연결할 수 있습니다. 신호 인터페이스의 커패시턴스는 ~3pF이고 x2,000의 경우 ~1pF입니다(아래 성능표).

SigOfit 프로브를 브랜드화한 회사에 따르면 "GaN 및 SiC와 같은 장치는 매우 높은 에너지 고주파 고조파를 포함하여 몇 나노초 내에 고전압을 전환할 수 있습니다."라고 합니다. "SigOfit 프로브는 100MHz에서 최대 112dB, 500MHz에서 100dB 이상의 높은 공통 모드 거부율을 제공합니다."

이러한 CMMR 수치는 SMA 커넥터에 있으며 팁을 설치하면 다소 감소합니다(아래 표).

다양한 프로브 팁(오른쪽)는 전체 범위 ±1.25V에서 ±2.5kV까지 감지된 신호 범위를 제공하며 DC 이득 정확도는 ±1%(1.41mVrms 잡음 플로어)입니다.

프로브 팁은 동축 커넥터로 끝나며 신호 충실도를 극대화하려면 테스트 대상 보드의 일치하는 동축 소켓과 쌍을 이루어야 합니다.

팁에서 헤드로 DC 기준이 전송되지 않으면 오프셋 드리프트가 가능합니다. 예열 후 드리프트는 500μV 미만이라고 하며, 스코프와 프로브의 푸시 버튼을 누르면 자동 교정이 시작되어 1초 이내에 영점 오프셋을 제거합니다.

스코프 BNC 입력에서는 50Ω이 예상되며 프로브의 스코프 엔드 박스(냉각용 내부 팬 포함)는 별도의 전원 공급 장치에서 전원을 공급받습니다.

프로브가 과열되거나 입력 전압이 범위를 벗어나면 부저가 울립니다.

광섬유 절연 스코프 프로브 웹페이지는 여기에서 찾을 수 있습니다.